3C-SiC半導体又はGaN半導体と、その製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-192877
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039766
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】基板の荒れを回避できる3C-SiC又はGaNの半導体と、その製造方法を提供することである。【解決手段】基板となるSi上に3C-SiC又はGaNをエピタキシャル成長させるときに、有機金属原料により多層(2層)のエピタキシャル成長膜を形成する。つまり、SiC又はGaNのエピタキシャル成長膜をバッファー層と本体層で形成する。バッファー層を比較的低い温度でかつ遅い速度でエピタキシャル成長させて形成する。SiCの場合、500〜900°Cの温度でかつ0.1〜1μm/hの速度でバッファー層をエピタキシャル成長させる。バッファー層の上に本体層を1000〜1300°Cの温度でかつ1〜15μm/hの速度でエピタキシャル成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si基板上に3C-SiC又はGaNをエピタキシャル成長させる際、エピタキシャル成長の温度と速度の両方または一方を変化させることにより、まずSiC又はGaNのバッファー層をエピタキシャル成長させ、次に、SiC又はGaNの本体層をエピタキシャル成長させることを特徴とする3C-SiC半導体又はGaN半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/42 , C30B29/36 , C30B29/38

FI (5件)：

H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/42 , C30B29/36 A , C30B29/38 D

Fターム (48件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077BE15 , 4G077DB06 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077EE03 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TB01 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030BA08 , 4K030BA37 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030LA12 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AB14 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CB02 , 5F045DA53

引用特許：

審査官引用 (1件)

炭化珪素の製造方法、炭化珪素及び複合材料、並びに半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-162048 出願人：ホーヤ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

Formation of Extremely Thin, Quasi-Single-Domain 3C-SiC Film on Resistively Heated On-Axis Si(001) S

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