特許
J-GLOBAL ID：200903038614231532
炭化珪素の製造方法、炭化珪素及び複合材料、並びに半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩澤 寿夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-162048
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335935
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：
【要約】【課題】炭化珪素の気相成長において、結晶欠陥の増大を伴うことなく、十分な生産性を有する炭化珪素の製造方法、及び大口径の炭化珪素塊の提供。【解決手段】基板表面に少なくとも珪素源ガスと炭素源ガスとからなる炭化珪素原料ガスを含む雰囲気から炭化珪素を形成する、炭化珪素の製造方法。前記雰囲気における珪素源ガスの分圧psを一定とし、炭素源ガスの分圧をpc1とpc2とに交互に変化させる(pc1>pc2、pc1/psは付着係数比(Ss/Sc)の1〜10倍、pc2/psはSs/Scの1倍未満)(条件1)か、炭素源ガスの分圧pcを一定とし、珪素源ガスの分圧をps1とps2とに交互に変化させる(ps1<ps2、pc/ps1はSs/Scの1〜10倍、pc/ps2はSs/Scの1倍未満)(条件2)。口径4〜6インチ、面欠陥密度10<SP>3</SP>/cm<SP>2</SP>以下の炭化珪素塊。
請求項（抜粋）：
基板表面に炭化珪素原料ガスを含む雰囲気から炭化珪素を形成する、炭化珪素の製造方法であって、前記炭化珪素原料ガスが、少なくとも珪素源ガスと炭素源ガスとからなり、前記雰囲気における前記珪素源ガスの分圧psを一定とし(但し、ps>0である)、前記雰囲気における前記炭素源ガスの分圧がpc1である状態とpc2である状態(但し、pc1及びpc2は炭素源ガスの分圧であり、pc1>pc2であり、分圧比(pc1/ps)は付着係数比(Ss/Sc)の1〜10倍の範囲であり、かつ分圧比(pc2/ps)は付着係数比(Ss/Sc)の1倍未満の範囲である(但し、Ssは前記炭化珪素形成時の基板温度における炭化珪素基板への珪素源ガスの付着係数であり、Scは前記炭化珪素形成時の基板温度における炭化珪素基板への炭素源ガスの付着係数である))を交互に繰り返す(以下、条件1という)か、または前記雰囲気における前記炭素源ガスの分圧pcを一定とし(但し、pc>0である)、前記雰囲気における前記珪素源ガスの分圧がps1である状態とps2である状態(但し、ps1及びps2は珪素源ガスの分圧であり、ps1<ps2であり、分圧比(pc/ps1)は付着係数比(Ss/Sc)の1〜10倍の範囲であり、分圧比(pc/ps2)は付着係数比(Ss/Sc)の1倍未満の範囲である(但し、Ssは前記炭化珪素形成時の基板温度における炭化珪素基板への珪素源ガスの付着係数であり、Scは前記炭化珪素形成時の基板温度における炭化珪素基板への炭素源ガスの付着係数である))を交互に繰り返す(以下、条件2という)ことを特徴とする前記製造方法。
IPC (6件)：
C23C 16/42
, C01B 31/36 601
, C01B 31/36
, C30B 25/16
, C30B 29/36
, H01L 21/205
C23C 16/42
, C01B 31/36 601 F
, C01B 31/36 601 S
, C01B 31/36 601 Y
, C30B 25/16
, C30B 29/36 A
, H01L 21/205
4G046MA14
, 4G046MB03
, 4G046MB10
, 4G046MC02
, 4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DB05
, 4G077DB07
, 4G077EC09
, 4G077ED06
, 4G077HA12
, 4G077TJ02
, 4K030AA03
, 4K030AA09
, 4K030BA37
, 4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030JA06
, 4K030JA10
, 4K030JA20
, 4K030LA14
, 5F045AA03
, 5F045AA06
, 5F045AA08
, 5F045AB06
, 5F045AB14
, 5F045AC01
, 5F045AC03
, 5F045AC07
, 5F045AC16
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AD17
, 5F045AE19
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045BB12
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EE19
, 5F045EF02
