特許

J-GLOBAL ID：200903094561700702

反射防止膜の形成方法

発明者： 坂本 力丸 ,  榎本 智之 ,  水沢 賢一
出願人/特許権者： 日産化学工業株式会社
代理人 (4件)： 萼 経夫 ,  中村 壽夫 ,  宮崎 嘉夫 ,  加藤 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-184519
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031569
出願日： 2002年06月25日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】半導体基板上に不要な残渣を生ずる原因となる有機反射防止膜の縁だまりが低減された有機反射防止膜の形成方法を提供すること。【解決手段】本発明は、基板上に、含フッ素界面活性剤成分を含有する反射防止膜組成物を塗布し塗布膜を形成し、基板エッジ部の前記塗布膜を溶剤により除去し、ベーキングにより反射防止膜を形成することを特徴とする有機反射防止膜の形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に、含フッ素界面活性剤成分を含有する反射防止膜組成物を塗布し塗布膜を形成し、基板エッジ部の前記塗布膜を溶剤により除去し、ベーキングにより反射防止膜を形成することを特徴とする有機反射防止膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F7/11 ,  H01L21/312

FI (3件)：

H01L21/30 574 ,  G03F7/11 503 ,  H01L21/312 A

Fターム (12件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025DA34 ,  5F046PA17 ,  5F046PA19 ,  5F058AA10 ,  5F058AC06 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH10 ,  5F058BA20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• リソグラフィー用反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレジスト積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-097479   出願人：東京応化工業株式会社