特許

J-GLOBAL ID：200903094569402930

半導体ウェーハの製造方法

発明者： 曲 偉峰 ,  大塚 徹 ,  羽深 等
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255486
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091237
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 大口径の半導体単結晶基板に対しても、その主面に抵抗率の均一な半導体薄膜を成長させることができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 反応容器4の幅方向中央部及び幅方向周辺部から、該反応容器4内で回転する半導体単結晶基板6の主面に対して平行かつ一方向に、半導体原料ガス及びドーパントガスを供給して、半導体単結晶基板6上に半導体薄膜9を気相成長させる際、反応容器4の幅方向周辺部から供給するドーパントガスを、半導体単結晶基板6の回転方向に対して順方向または逆方向となるどちらか一方のみに限定して供給する。

請求項（抜粋）：

反応容器の幅方向中央部及び幅方向周辺部から、該反応容器内で回転する半導体単結晶基板の主面に対して平行かつ一方向に、半導体原料ガス及びドーパントガスを供給して、前記半導体単結晶基板上に半導体薄膜を気相成長させる半導体ウェーハの製造方法において、前記反応容器の幅方向周辺部から供給するドーパントガスを、前記半導体単結晶基板の回転方向に対して順方向または逆方向となるどちらか一方のみに限定して供給することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D

Fターム (27件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA04 ,  4K030KA24 ,  4K030LA02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045DA66 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ06 ,  5F045EE04 ,  5F045EE15 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF08