特許
J-GLOBAL ID：200903094581672926
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329888
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153952
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】本発明は製造時に生じる導電領域の実効長の変動を抑制することができる半導体装置製造方法及びこれを用いた半導体装置を提案する。【構成】第1及び又は第2の電気伝導膜の端部を溝部に対して自己整合で形成し、また不純物拡散層の端部の位置を電気伝導膜の端部に対して自己整合で形成する。これにより導電領域の実効長の変動は防止される。この結果、高性能な半導体装置を実現することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面から深さ方向に形成された溝部と、上記溝部の内側及び当該溝部の表面に形成され、上記溝部の端部からほぼ等距離の位置に端部を有する電気伝導膜と、上記半導体基板の内部に形成され、上記電気伝導膜の端部からほぼ等距離の位置に端部が形成された不純物拡散層とを具えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
H01L 29/78 301 V
, H01L 27/08 102 A
