特許

J-GLOBAL ID：200903094595563410

半導体結晶ウエハの洗浄方法

発明者： 谷 毅彦 ,  秋山 弘樹 ,  小又 慎史 ,  稲田 知己
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149368
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340535
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】析出物等の異物を完全に除去することができる化合物半導体結晶ウエハの洗浄方法を提供することにある。【解決手段】表面を鏡面研磨して成る化合物半導体結晶ウエハの鏡面を脱脂洗浄してから酸で洗浄し、然る後超純水で洗浄し、最後に乾燥を行なう半導体結晶ウエハの洗浄方法において、前記酸洗浄と前記超純水洗浄との間にアルカリ水溶液による洗浄を付加することを特徴とする半導体結晶ウエハの洗浄方法にある。

請求項（抜粋）：

表面を鏡面研磨して成る化合物半導体結晶ウエハの鏡面を脱脂洗浄してから酸で洗浄し、然る後超純水で洗浄し、最後に乾燥を行なう半導体結晶ウエハの洗浄方法において、前記酸洗浄と前記超純水洗浄との間にアルカリ水溶液による洗浄を付加することを特徴とする半導体結晶ウエハの洗浄方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 642 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/10 ,  B08B 3/12 ,  H01L 21/308

FI (6件)：

H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 642 E ,  B08B 3/08 A ,  B08B 3/10 A ,  B08B 3/12 Z ,  H01L 21/308 C

Fターム (17件)：

3B201AA03 ,  3B201BB83 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201CB11 ,  3B201CC13 ,  3B201CC21 ,  5F043AA14 ,  5F043BB07 ,  5F043BB27 ,  5F043DD12 ,  5F043DD16 ,  5F043DD23 ,  5F043EE04 ,  5F043EE05 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電子部品等の洗浄方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-265811   出願人：日本電気株式会社, オルガノ株式会社