特許
J-GLOBAL ID:200903094608131280

半導体モジュールの電極端子接続構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大菅 義之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-253611
公開番号(公開出願番号):特開2000-091497
出願日: 1998年09月08日
公開日(公表日): 2000年03月31日
要約:
【要約】【課題】 デュアルインバータ構造に接続する上で強度部材を不要とし、より配線インダクタンスの相殺が可能となる半導体モジュール電極端子接続構造の提供。【解決手段】 1組の上下アーム対に対応する2つの半導体モジュールQ1、Q2のソース電極7a、bは側面がパッケージ8a、b内部で外部側面と平行近接に立設する。該側面同士が対向するよう両モジュールが並置し、モジュールQ1のソース電極7aと、モジュールQ2のドレイン電極(ベース基板)6bとを接続するモジュール間電極端子15が導電性金属のブロック体で構成され、一端がモジュールQ2のベース基板6b上にソース電極7b側面と平行近接に立設する。導電性金属のブロック体である正極側電極端子12がソース電極7a側面と平行近接の配置位置でモジュールQ1のベース基板6aと母線電極板5の下面側正電極10と電気的に接続し、母線電極板5の機構的支持を行うよう立設する。
請求項(抜粋):
導電性のベース基板が主電流入力用電極と兼用にある非絶縁型の半導体モジュールをデュアルインバータ構造に接続する電極端子接続構造において、前記主電流入力用電極としての前記ベース基板に前記半導体モジュールの外部から主電流を入力するための電極端子を、前記半導体モジュールのパッケージ内部に立設された主電流出力用電極と平行に近接するよう、かつ、該平行に近接した部分に互いに反対方向の電流が流れるよう、前記ベース基板上に立設させたことを特徴とする半導体モジュールの電極端子接続構造。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開昭63-193553
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-220106   出願人:株式会社東芝
  • 半導体モジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-229698   出願人:株式会社日立製作所
審査官引用 (3件)
  • 特開昭63-193553
  • 半導体モジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-229698   出願人:株式会社日立製作所
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-220106   出願人:株式会社東芝

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