特許
J-GLOBAL ID：200903094613717358

半導体受光素子

発明者：
田中 信久

田中 信久 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 山野 宏 ,  青木 秀實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-380635
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214343
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】樹脂層の上に電極を形成する半導体受光素子であって、電極の断線を防ぎながら、電極と受光部との間の寄生容量を低減させて、全静電容量を低減できる半導体受光素子を提供する。【解決手段】基板と、この基板の上方に形成される光吸収層と、この光吸収層中に形成されたpn接合を有する受光部と、受光部表面に接続されるコンタクト電極と、受光部からずれた位置に形成される絶縁層と、コンタクト電極から絶縁層上に伸びる配線電極とを有し、前記絶縁層は、少なくとも配線電極が形成される部分において、その上面と端面とで形成される角度が鈍角となる傾斜面を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 この基板の上方に形成される光吸収層と、 光吸収層中に形成されたpn接合を有する受光部と、 受光部表面に接続されるコンタクト電極と、 受光部からずれた位置に形成される絶縁層と、 コンタクト電極から絶縁層上に伸びる配線電極とを有し、 前記絶縁層は、少なくとも配線電極が形成される部分において、その上面と端面とで形成される角度が鈍角となる傾斜面を有することを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1件)：
H01L31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (10件)：
5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA08 ,  5F049NB01 ,  5F049PA15 ,  5F049QA03 ,  5F049QA17 ,  5F049SE11 ,  5F049SZ01 ,  5F049SZ11
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体受光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312637   出願人：古河電気工業株式会社
  • 半導体受光器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-147428   出願人：ヴィシャイセミコンダクターゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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