特許

J-GLOBAL ID：200903094621549170

半導体装置

発明者： 岡部 克也 ,  佐藤 喜規 ,  田中 英之 ,  頓宮 真由美
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-121746
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318130
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 より低電気抵抗で、且つ安価な半導体チップの裏面電極を提供する。【解決手段】 フレーム1上に形成された銀(Ag)ペースト2上に裏面電極5と、該裏面電極5上に形成された半導体チップ4を構成する縦型の半導体装置において、当該裏面電極5が銀(Ag)ペースト2よりも膜厚が薄く、低抵抗のアルミニウム(Al)層3の単層構造を成す。当該アルミニウム(Al)層3の膜厚は、0.3〜2・0(μm)程度であり、好適には1.26(μm)程度と成るように形成する。ここで、半導体チップ4を流れる電流I1は、半導体チップ4の裏面側に達した後、低抵抗の該アルミニウム(Al)層3内部のみを流れる。これにより銀(Ag)よりも低電気抵抗のアルミニウム(Al)層を有する高速動作が可能な、且つ高価な金(Au)層や銅(Cu)層を用いない安価な裏面電極5を有する、半導体装置が実現できる。

請求項（抜粋）：

フレームと、前記フレーム上に裏面電極を介して形成された半導体チップを有する半導体装置において、前記裏面電極が単層である電極層から形成され、前記電極層よりも電気抵抗の高い接着層が、前記電極層と前記フレームとを接着していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/52

FI (2件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/52 B

Fターム (8件)：

4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104GG18 ,  5F047AA11 ,  5F047BA21 ,  5F047BA53 ,  5F047BB11 ,  5F047BC09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-177230   出願人：関西日本電気株式会社