原子層成長による薄膜形成方法及び薄膜形成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032810
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220287
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：

【要約】【課題】基板が設置された反応室に対して、吸着ガス及び反応ガスの供給、及びパージを交互に行い、吸着ガスと反応ガスとの反応によって原子層成長を行わせることにより、基板の一面上に形成された薄膜において、成膜の際に、膜中に残存する不純物を低減する。【解決手段】吸着ガス供給工程、第1のパージ工程、反応ガス供給工程、第2のパージ工程を順次繰り返し、吸着ガスと反応ガスとの反応によって原子層成長を行わせることにより、基板の一面上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、反応ガス供給工程及び第2のパージ工程のうち少なくとも1つの工程中に、反応室2内の基板8の一面上から、UVランプ10によって照射窓11を通して紫外線照射を行う。

請求項（抜粋）：

基板が設置された反応室内へ前記基板に吸着する吸着ガスを供給する吸着ガス供給工程、前記反応室内の余剰ガスを除去する第1のパージ工程、前記反応室内へ前記吸着ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給工程、前記反応室内の余剰ガスを除去する第2のパージ工程を順次繰り返し、前記吸着ガスと前記反応ガスとの反応によって原子層成長を行わせることにより、前記基板の一面上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記反応ガス供給工程及び前記第2のパージ工程のうち少なくとも1つの工程中に、前記基板の前記一面上から紫外線照射を行うことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C30B 25/02 , H01L 21/205 , C30B 29/20

FI (3件)：

C30B 25/02 Z , H01L 21/205 , C30B 29/20

Fターム (33件)：

4G077AA03 , 4G077BB01 , 4G077BB07 , 4G077DB05 , 4G077DB11 , 4G077DB25 , 4G077EG25 , 4G077EJ04 , 4G077TB04 , 4G077TB08 , 4G077TC14 , 5F045AA11 , 5F045AA15 , 5F045AB10 , 5F045AB12 , 5F045AB22 , 5F045AB31 , 5F045AB37 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AD09 , 5F045AF07 , 5F045BB14 , 5F045EC02 , 5F045EC03 , 5F045EC05 , 5F045EE02 , 5F045EE12 , 5F045EE14 , 5F045EE19 , 5F045EF18 , 5F045HA18

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-151822
超格子半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-322679 出願人：新技術事業団, 西澤潤一
薄膜形成方法、シリコン薄膜及びシリコン薄膜トランジスタの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-023986 出願人：富士通株式会社

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