特許
J-GLOBAL ID：200903094704807457
集束イオンビーム装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-060841
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260307
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 試料上のイオンビームの走査範囲(倍率)に応じて最適な電流のイオンビームを照射することができる集束イオンビーム装置を実現する。【解決手段】 FIBカラム1中の集束レンズ4、対物レンズ5、偏向器6を制御するFIB制御部8は、ホストコンピュータ14によってコントロールされる条件設定手段25により制御される。条件設定手段25は、ソフトモード条件ユニット26、ノーマルモード条件ユニット27、ハードモード条件ユニット28を備えている。各条件ユニット26,27,28は、それぞれ倍率に応じた単位面積当たりの照射電流dI/dSの可変範囲がテーブルの形で記憶されている。試料の種類と加工倍率が設定されると、いずれかの条件ユニットに記憶されている電流値が読み出され、それによってFIB制御部8が制御される。
請求項（抜粋）：
イオン源からのイオンビームを試料上に細く集束すると共に、試料上でイオンビームの照射位置を2次元的に走査し、試料を加工するようにした集束イオンビーム装置において、試料に照射される電流量をイオンビームの2次元走査範囲に応じて変化させるように構成した集束イオンビーム装置。
IPC (4件)：
H01J 37/305
, H01J 37/04
, H01J 37/28
, H01L 21/66
H01J 37/305 A
, H01J 37/04 A
, H01J 37/28 B
, H01L 21/66 J
