特許
J-GLOBAL ID：200903094712649232

載置装置及びその製造方法並びにプラズマ処理装置

発明者：
武藤 慎司

武藤 慎司 について

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田口 千博

田口 千博 について

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岡山 信幸

岡山 信幸 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-142168
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045952
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 シリコーン樹脂によって封孔処理を行ったセラミック溶射製の静電チャックを用いて高真空領域(例えば、100mTorr)で高周波電力を印加してウエハWのプラズマ処理を行っていると、図7の?Aに示すように高周波電力の印加時間が長くなるに連れてプラズマ処理中のウエハ表面温度が初期の表面温度から経時的に徐々に低下する。【解決手段】 本発明の載置装置10は、ウエハWを載置する載置体11と、この載置体上に形成され且つ内部に電極層12Bを有するセラミック溶射層12Aからなる静電チャック層12を備え、プラズマ処理時に上記静電チャック層12でウエハWを吸着する載置装置であって、上記セラミック溶射層12はメタクリル樹脂12Dによって封孔処理されてなる。
請求項（抜粋）：
被処理体を載置する載置体と、この載置体上に形成され且つ内部に電極層を有するセラミック溶射層からなる静電チャック層を備え、プラズマ処理時に上記静電チャック層で被処理体を吸着する載置装置であって、上記セラミック溶射層はメタクリル樹脂によって封孔処理されてなることを特徴とする載置装置。
IPC (2件)：
H01L 21/68 ,  C23C 16/458
FI (2件)：
H01L 21/68 R ,  C23C 16/458
Fターム (10件)：
4K030GA02 ,  4K030KA47 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA19 ,  5F031HA39 ,  5F031NA01 ,  5F031NA05 ,  5F031PA18
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 静電チャック
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-066309   出願人：株式会社神戸製鋼所, 神鋼コベルコツール株式会社
  • 特開昭59-152636
  • 特開昭59-152636
引用文献：
審査官引用 (1件)

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