特許
J-GLOBAL ID：200903094715816342
複合電極およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130062
公開番号（公開出願番号）：特開平8-329947
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 有機ジスルフィド化合物とポリアニリンとを複合化した、大容量で、充放電サイクル劣化の少ない複合電極を提供する。【構成】 有機スルフィド化合物の重合体と、ポリアニリンを含み、ポリアニリンが、Nーメチルー2ーピロリドン溶液の電子吸収スペクトルの340nmにおける吸光度I340に対する640nmにおける吸光度I640の比I640/I340が0.2以下の還元ポリアニリンである複合電極。前記ポリアニリンと有機ジスルフィド化合物の重合体をNーアルキルー2ーピロリドンに溶解した粘性体を支持体に塗布し、乾燥して複合電極を製造する。
請求項（抜粋）：
電解還元により硫黄ー硫黄結合が開裂して硫黄ー金属イオン(プロトンを含む)結合を生成し、電解酸化により硫黄ー金属イオン結合が元の硫黄ー硫黄結合を再生する有機ジスルフィド化合物の重合体と、ポリアニリンを含み、ポリアニリンが、Nーメチルー2ーピロリドン溶液の電子吸収スペクトルの340nmにおける吸光度I340に対する640nmにおける吸光度I640の比I640/I340が0.2以下の還元ポリアニリンであることを特徴とする複合電極。
IPC (4件)：
H01M 4/60
, G02F 1/155
, H01M 4/02
, H01M 10/40
H01M 4/60
, G02F 1/155
, H01M 4/02 C
, H01M 10/40 Z
