特許
J-GLOBAL ID：200903094765693608
荷電粒子ビーム露光方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269082
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111584
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】ブロックマスクを利用してブロック露光パターンによる露光を行う場合に、最適の露光量に設定されるようにする。【解決手段】本発明は、ブロックマスクに対して設定する露光量を、ブロック露光パターンデータの最小線幅に応じた露光量とせずに、あらかじめ設定した最小線幅候補より細い線幅のブロック露光パターンデータが存在する場合は、最小線幅候補に対応する露光量とする。その結果、設計ルールよりも細いブロック露光パターンデータが存在する場合でも、過剰に大きい露光量が設定されることが防止される。
請求項（抜粋）：
複数のパターンを有するブロックマスクを通過させた荷電粒子ビームを被露光資料に照射する荷電粒子ビーム露光方法において、前記ブロックマスク内のパターンデータに対する最小線幅候補を指定する工程と、前記ブロックマスク内のパターンデータの最小線幅が前記最小線幅候補より狭い場合は、前記最小線幅候補に対応する露光量を前記ブロックマスクの露光量と設定し、前記ブロックマスク内のパターンデータの最小線幅が前記最小線幅候補より太い場合は、前記パターンデータの最小線幅に対応する露光量を前記ブロックマスクの露光量と設定する工程と、前記設定された露光量を有する荷電粒子ビームに前記ブロックマスクを通過させて、前記被露光資料を照射する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01J 37/302
H01L 21/30 541 S
, H01J 37/302
