特許

J-GLOBAL ID：200903094795965211

アクティブマトリクス基板およびその製造方法

発明者： 嶋田 吉祐
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-140528
公開番号（公開出願番号）：特開平9-325330
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 開口率が高く液晶の配向が良好な液晶表示装置を、削減された製造工程により歩留り良く作製する。【解決手段】 ゲート信号線2、ソース信号線12およびTFTを覆うように2層構造の層間絶縁膜が設けられている。層間絶縁膜の基板側の第1層はベンゾシクロブテン層からなり、第2層は第1層の表面を酸素プラズマ処理して得られた酸化シリコン層からなる。層間絶縁膜上には画素電極11が設けられ、層間絶縁膜を貫くコンタクトホール10を介してスイッチング素子に接続されている。

請求項（抜粋）：

基板上に互いに交差して設けられた走査配線および信号配線の交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該走査配線、該信号配線およびスイッチング素子を覆うように2層構造の層間絶縁膜が設けられると共に、該層間絶縁膜の基板と反対側表面に、該層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して該スイッチング素子と接続された画素電極が設けられ、該2層構造の層間絶縁膜における基板側の第1層はベンゾシクロブテン層からなり、第2層は該第1層の表面を酸素プラズマ処理して得られた酸化シリコン層からなるアクティブマトリクス基板。

IPC (2件)：

G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-163528
  
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-084366   出願人：株式会社日立製作所