特許
J-GLOBAL ID：200903094803222592

半導体装置の銅金属配線形成方法

発明者：
權 ▲てつ▼ 純

權 ▲てつ▼ 純 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008037
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256256
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体基板と銅金属膜間の拡散を防止し得る非晶質拡散防止膜を有する半導体装置の銅金属配線形成方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の銅金属配線形成方法は、半導体基板上に層間絶縁膜15a及び拡散防止膜を順次に形成する。前記拡散防止膜はMo、W、Ti、Ta、WN、TiW、TiN及びその組合中から選択された一つを利用して化学気相蒸着法で形成する。続いて、前記拡散防止膜に不純物をイオン注入して非晶質拡散防止膜17aを形成した後、前記非晶質拡散防止膜上に銅膜19aを形成する。前記不純物はボロン(B)、窒素(N)及びシリコン(Si)中から選択された一つを利用する。こうすれば、前記非晶質拡散防止膜を通じる銅の拡散を防止し得る。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜上に拡散防止膜を形成する段階と、前記拡散防止膜に不純物をイオン注入して非晶質拡散防止膜を形成する段階と、前記非晶質拡散防止膜上に銅膜を形成する段階とを含んでなることを特徴とする半導体装置の銅金属配線形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301
FI (4件)：
H01L 21/88 R ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/88 M
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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