特許

J-GLOBAL ID：200903094816301769

半導体光変調素子

発明者： 辻 正芳
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-021427
公開番号（公開出願番号）：特開平8-220496
出願日： 1995年02月09日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】 低消費電力・高消光比・高速応答が可能な半導体光変調素子を提供する。【構成】 n型InP基板1上にn型InPクラッド層2、n- 型InAlAs-InAlGaAs組成傾斜多重層3、p型InPクラッド層4、p+ 型InGaAsコンタクト層5を積層する。n型クラッド層2の途中までエッチングすることによって、リブ導波路を形成し、リブ導波路上部にp電極6を形成し、基板の裏面にn電極7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に一導電型クラッド層、同一導電型ガイド層、逆導電型クラッド層を基本構造として有し、印加電界による光吸収変化により光変調を生じさせる電界吸収型の半導体光変調素子において、前記ガイド層の一部が組成傾斜多重層で形成されていることを特徴とする半導体光変調素子。

IPC (4件)：

G02F 1/025 ,  G02B 6/42 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/00

FI (4件)：

G02F 1/025 ,  G02B 6/42 ,  H01L 27/15 B ,  H01L 31/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-003220
  
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-051672   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭60-205421