特許

J-GLOBAL ID：200903094831312637

両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法

発明者： 原田 晴司
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122272
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308038
出願日： 2000年04月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの片面を選択的に研磨し、ウェーハ表裏面の研磨量を異ならせ、表裏両面の光沢度が異なる半導体ウェーハが得られる両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハWに研磨剤を供給しながら、研磨ローラ12と軟質不織布パッド15との間で、キャリアプレート11をそのプレート11の表面と平行な水平面内で運動させる。これにより、シリコンウェーハWの表裏面が研磨ローラ12,パッド15で研磨される。このときの研磨は、研磨ローラ12での研磨量が大きい片面選択研磨となる。よって、研磨ローラ12でのウェーハ表面の研磨量と、パッド15でのウェーハ裏面の研磨量とに差が生じて、得られたシリコンウェーハWは、表裏面の光沢度が異ったウェーハである。

請求項（抜粋）：

キャリアプレートに形成されたウェーハ保持孔内に半導体ウェーハを挿入・保持し、研磨剤を半導体ウェーハに供給しながら、対向配置された一対の研磨部材の間で、上記キャリアプレートの表面と平行な面内でこのキャリアプレートを運動させて、上記半導体ウェーハの表裏両面を同時に研磨することができる両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法であって、一方の上記研磨部材を固定砥粒を有する固定砥粒体とし、他方の上記研磨部材をこの固定砥粒体に対向する面に研磨布が展張された研磨定盤とすることで、半導体ウェーハの表裏面の研磨量を異ならせる両面研磨装置を用いた半導体ウェーハの研磨方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 621 A ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/04 F

Fターム (10件)：

3C058AA04 ,  3C058AA09 ,  3C058AB01 ,  3C058AB04 ,  3C058AC04 ,  3C058BA02 ,  3C058BA09 ,  3C058CB01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-188630
  
• 特開昭54-122087
  
• 両面研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-209527   出願人：不二越機械工業株式会社