多面体オリゴマーシルセスキオキサンの形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-526838
公開番号（公開出願番号）：特表2003-510337
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2003年03月18日
要約：

【要約】【解決手段】シリコーン、またはプロトン性溶媒(例えばROH、H2Oなど)と反応してヒドロキシド[OH]-;アルコキシド[RO]-などを生じ得るいずれかの化合物のいずれかを標的とし得る塩基の作用を利用する多面体オリゴマーシルセスキオキサン(POSS)を製造する3つの方法。第一の方法は高分子シルセスキオキサン[RSiO1.5]∞(ここで、∞=1〜1,000,000以上)におけるシリコーン-酸素の骨格を効果的に再分配して式[(RSiO1.5)n]Σ#、ホモレプティック、[(RXSiO1.5)n]Σ#、官能化ホモレプティック、[(RSiO1.5)m(R’SiO1.5)n]Σ#、ヘテロレプティック、および[(RSiO1.5)m(RXSiO1.0)n]Σ#、官能化ヘテロレプティックナノ構造のPOSSナノ構造とするような塩基を利用する。第二の方法は、シランRSiX3および式RX2Si-(OSiRX)m-OSiRX2(ここで、m=0〜10、X=OH、Cl、Br、I、アルコキシドOR、アセテートOOCR、ペルオキシドOOR、アミンNR2、イソシアネートNCO、およびRの直鎖または環状シルセスキオキサンからの、式[(RSiO1.5)n]Σ#、ホモレプティック、および[(RSiO1.5)m(R’SiO1.5)n]Σ#、ヘテロレプティック、および[(RSiO1.5)m(RXSiO1.0)n]Σ#、官能化ヘテロレプティックナノ構造のPOSSナノ構造の形成を助ける塩基を利用する。第三の方法はPOSS構造におけるケイ素-酸素-ケイ素(Si-O-Si)結合を選択的に開環して不完全縮合ナノ構造を有するPOSS種を形成する塩基を利用する。これらの方法はまた、Xに対して化学量論的制御を与える。これら3つの方法によって、重合、グラフトまたはその他の望ましい化学反応に好適なPOSS種へと最終的に変換される、さらなる化学操作を受け得る新たなPOSS種が得られる。

請求項（抜粋）：

ポリシルセスキオキサン樹脂をホモレプティック[(RSiO1.5)n]Σ#、ヘテロレプティック[(RSiO1.5)m(RSiO1.5)n]Σ#および官能化ヘテロレプティック[(RSiO1.5)m(RXSiO1.0)n]Σ#型のPOSSナノ構造へ変換する塩基を用いる方法(ここで、mおよびnは化学量論組成を表し、#はナノ構造内に含まれるケイ素原子数(akaケージサイズ)である)。

IPC (3件)：

C07F 7/08 , C07F 7/12 , C08G 77/38

FI (3件)：

C07F 7/08 Y , C07F 7/12 Y , C08G 77/38

Fターム (16件)：

4H049VN01 , 4H049VP07 , 4H049VP08 , 4H049VP09 , 4H049VP10 , 4H049VQ05 , 4H049VQ09 , 4H049VQ58 , 4H049VQ79 , 4H049VQ88 , 4H049VR21 , 4H049VR31 , 4H049VR43 , 4H049VU33 , 4H049VU36 , 4J035BA12

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭55-145694
特開平1-242594
特開平4-282389

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