半導体集積装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287708
公開番号（公開出願番号）：特開平9-130231
出願日： 1995年11月06日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】ディープ・サブミクロン・プロセスを用いた半導体集積装置や超低消費電力を狙った半導体集積装置において、例えば3v系の微細化プロセスを使用しアルミ配線等の配線変更のみで、2v系、もしくは1v系の低電源電圧による狭論理振幅信号を高速に、しかも従来と同等の消費電力で高電源電圧の広論理振幅信号に変換することが可能な信号電圧レベル変換回路を提供する。【解決手段】信号電圧レベル変換回路の第1、第2のMOSトランジスタをスイッチング制御する第1、第2導電型MOSトランジスタからなる各反転論理回路の第1導電型MOSトランジスタは、接地電源電圧レベルよりも高レベルな第1の電源電圧を第1導電型MOSトランジスタのバックゲート電極であるウエルに印加し、接地電源電圧レベルよりも高レベルで、且つ第1の電源電圧レベルよりも高い第2の電源電圧を第1導電型MOSトランジスタのソース電極に印加する。

請求項（抜粋）：

入力信号によりスイッチング制御される第1のMOSトランジスタと、その反転信号によりスイッチング制御され第1のMOSトランジスタとは排他的に開閉する第2のMOSトランジスタと、第2のMOSトランジスタに対し直列しており第1のMOSトランジスタの閉成により閉成制御される第3のMOSトランジスタと、第1のMOSトランジスタに対し直列しており第2のMOSトランジスタの閉成により閉成制御される第4のMOSトランジスタとを有する信号電圧レベル変換回路において、前記第1、第2のMOSトランジスタをスイッチング制御する第1、第2導電型MOSトランジスタからなる各反転論理回路の第1導電型MOSトランジスタは、接地電源電圧レベルよりも高レベルな第1の電源電圧を第1導電型MOSトランジスタのバックゲート電極であるウエルに印加し、接地電源電圧レベルよりも高レベルで、且つ第1の電源電圧レベルよりも高い第2の電源電圧を第1導電型MOSトランジスタのソース電極に印加することを特徴とする半導体集積装置。

IPC (3件)：

H03K 19/0185 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2件)：

H03K 19/00 101 E , H01L 27/08 321 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

C-MOSレベルシフタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-222498 出願人：セイコーエプソン株式会社

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