特許
J-GLOBAL ID：200903094838432646
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-317009
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169958
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】低拡散層抵抗、低コンタクト抵抗のソースおよびドレイン領域の浅い接合を、制御性良く形成する。【構成】ゲート電極3をはさんだp型シリコン基板1の表面上にゲルマニウム層またはシリコンゲルマニウム層を選択化学気相成長法によって形成し、その後でn型不純物をイオン注入することによって、ソースおよびドレイン領域10を形成する。
請求項（抜粋）：
第1の表面領域ならびに該第1の表面領域を間にはさんで位置しかつ該第1の表面領域と平坦な第2および第3の表面領域を有するシリコン基板と、第一導電型の前記第1の表面領域上にゲート絶縁膜を介して形成され側面に絶縁膜を有するゲート電極と、前記第2および第3の表面領域上にそれぞれ形成されたゲルマニウムまたはゲルマニウムとシリコンの混晶から成る半導体層の第二導電型のソースおよびドレイン領域とを備えることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 S
