特許

J-GLOBAL ID：200903094842806089

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 田中 俊明 ,  高坂 崇 ,  鈴木 直也 ,  安田 雅昭 ,  金田 愛三
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-054864
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251337
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 接着剤層の空洞(ボイド)が少なく追従性及び密着性に優れ、耐リフロー性を大幅に向上した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子搭載用基板1表面に半導体素子接着用接着剤4を塗布し、半導体素子5を基板に搭載し、圧力を加えて該接着剤を流動させることにより、半導体素子と接着剤を接着させ、封止材7によって少なくとも半導体素子を被覆する工程により半導体装置を製造する方法において、半導体素子搭載用基板表面に半導体素子接着用接着剤を塗布する方法が、基板表面に接着剤を接着剤塗布部分の中心から外側に行くに従って、段階的または連続的に単位面積当たりの接着剤の塗布量が減少し、かつ接着剤を複数の独立した領域に島状に塗布する。これにより、半導体装置の保管中に水分が溜まる空洞(ボイド)がないため、リフロー工程におけるリラックや剥離等の不良が減少して、耐リフロー性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体素子搭載用基板の半導体素子搭載領域に接着剤を塗布し、半導体素子を前記基板の半導体素子搭載領域に搭載し圧力を加えて前記接着剤を流動させ半導体素子を半導体素子搭載領域に接着させる工程、封止材によって少なくとも前記半導体素子を被覆する工程を備える半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子搭載領域に接着剤を、半導体素子搭載領域の中心から外側に行くに従って段階的または連続的に単位面積当たりの接着剤の塗布量が減少し、かつ接着剤を複数の独立した領域に島状に塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 23/50

FI (2件)：

H01L 21/52 G ,  H01L 23/50 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-252040
  
• チップのボンディング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-045625   出願人：松下電器産業株式会社