ヘテロ構造半導体多層薄膜の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288918
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110725
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥を減少させた高品質異種半導体を単結晶半導体基板上に形成し、その上に歪みが充分に蓄積された別の単結晶半導体の形成を可能とするヘテロ構造単結晶半導体多層薄膜の製造方法を実現する。【解決手段】単結晶半導体基板(Si)1上にそれとは組成の異なる異種単結晶半導体層(SiGe混晶バッファ層)2を形成した後、第1のイオン打ち込み法を用いて両者の界面に固相成長を阻害する不純物を導入してストッパー層4を形成し、次いで前記異種単結晶半導体層2の下層部分を所定の厚さだけ第2のイオン打ち込み法を用いて非晶質化5aし、次いでアニールを行い再結晶化6し、次いで第3のイオン打ち込み法を用いて異種単結晶半導体層6の上層部分5bを所定の厚さだけ非晶質化し、その後にアニールを行い再結晶化6し、結晶欠陥を減少させた異種単結晶半導体層(SiGe混晶バッファ層)6とする。次いで、このSiGe混晶バッファ層6の上に歪単結晶Si7を形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板上にそれとは組成の異なる異種単結晶半導体層を形成した後、第1のイオン打ち込み法を用いて両者の界面に固相成長を阻害する不純物を導入してストッパー層を形成し、しかる後に前記異種単結晶半導体層の下層部分を所定の厚さだけ第2のイオン打ち込み法を用いて非晶質化し、その後にアニールを行い再結晶化し、しかる後に第3のイオン打ち込み法を用いて前記異種単結晶半導体層の上層部分を所定の厚さだけ非晶質化し、その後にアニールを行い再結晶化することにより結晶欠陥の減少した異種単結晶半導体層とすることを特徴とするヘテロ構造単結晶半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 301 X

Fターム (12件)：

5F040DA01 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040FA19 , 5F040FC00 , 5F052AA11 , 5F052DA10 , 5F052DB04 , 5F052FA05 , 5F052HA01 , 5F052HA06 , 5F052JA01

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