特許
J-GLOBAL ID：200903094850907331

放射線変換器及び放射線変換器の製造方法

発明者：
フクス、マンフレート

フクス、マンフレート について

, 
ハウゼン、マルティーナ

ハウゼン、マルティーナ について


出願人/特許権者：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-523300
公開番号（公開出願番号）：特表2009-503479
出願日： 2006年07月12日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
本発明は、針状の結晶から形成された発光物質層が基板上に設けられている放射線変換器に関し、その結晶はTlでドーピングされたCsIからなっている。放出スペクトルを小さい方向の値へ移動するために、本発明によればタリウムの含有量が200ppm〜2000ppmの範囲にあることが提唱される。
請求項（抜粋）：
基板上に針状の結晶から形成された発光物質層が取り付けられ、その際結晶がTlでドーピングされたCsIからなる放射線変換器において、Tlの含有量が200ppm〜2000ppmの範囲にあることを特徴とする放射線変換器。
IPC (5件)：
G21K 4/00 ,  G01T 1/20 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/61
FI (5件)：
G21K4/00 B ,  G01T1/20 B ,  C09K11/00 B ,  C09K11/08 A ,  C09K11/61
Fターム (23件)：
2G083AA02 ,  2G083AA08 ,  2G083BB01 ,  2G083CC03 ,  2G083DD01 ,  2G083DD02 ,  2G083DD12 ,  2G083DD13 ,  2G083EE03 ,  2G088GG10 ,  2G088GG16 ,  2G088JJ37 ,  4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CA08 ,  4H001CF01 ,  4H001XA11 ,  4H001XA19 ,  4H001XA37 ,  4H001XA53 ,  4H001XA55 ,  4H001XB11 ,  4H001YA81
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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