特許

J-GLOBAL ID：200903094861770281

スパッタリングターゲットとその製造方法

発明者： 渡辺 高志 ,  小松 透
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-334898
公開番号（公開出願番号）：特開2005-097697
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】Mo-W合金系のスパッタリングターゲットにおいて、比較的低温での焼結により高密度化が可能であると共に、それを用いて成膜した合金膜のより一層の低抵抗化を実現した。【解決手段】0.1〜50質量%の範囲のAlを含有し、残部が実質的にMo-W合金からなる組成を有するMo-W-Al材により構成されたスパッタリングターゲット2である。Mo-W合金は、例えば0.1〜70質量%の範囲のWを含有し、残部が実質的にMoからなる組成を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

0.1〜50質量%の範囲のAlを含有し、残部が実質的にMo-W合金からなるMo-W-Al材を具備することを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C14/34 ,  B22F3/105 ,  C22C1/04 ,  C22C27/04

FI (4件)：

C23C14/34 A ,  B22F3/105 ,  C22C1/04 D ,  C22C27/04

Fターム (17件)：

4K018AA20 ,  4K018AA22 ,  4K018BA08 ,  4K018BA09 ,  4K018BB04 ,  4K018BC12 ,  4K018CA11 ,  4K018DA11 ,  4K018DA21 ,  4K018DA25 ,  4K018DA32 ,  4K018EA01 ,  4K018EA11 ,  4K018KA29 ,  4K018KA58 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 国際公開第95/16797号パンフレット
  
• モリブデン-タングステン系ターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-209742   出願人：日立金属株式会社