特許

J-GLOBAL ID：200903094878458133

配線基板とその製造方法

発明者： 秋田 和重 ,  森田 雅仁
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344328
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189810
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子等の電子部品を搭載して封止する配線基板に関し、上記封止を容易且つ確実に行える配線基板とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子I等を搭載し、複数のセラミック層3〜8を積層して一体化したもので、半導体素子I等を封止するカバー20を固着するための矩形状の封止用メタライズ層9を表面3a上に有する第1セラミック層3と、これに隣接して積層される第2セラミック層4と、これらの間に形成された導体配線10を有し、第1及び第2セラミック層3,4間のうち上記導体配線10が無い部分で、上記封止用メタライズ層9と平面視において重複する重複部分の一部に絶縁スペーサ16を配置した配線基板1。係る絶縁スペーサ16を配置することにより、封止用メタライズ層9が平坦化でき、この上に固着されるカバー20により半導体素子I等を確実に封止することができる。

請求項（抜粋）：

複数のセラミック層を積層して一体化した配線基板であって、搭載する電子部品を封止するためのカバーを固着する封止用メタライズ層を表面上に有する第1セラミック層と、この第1セラミック層に隣接して積層された第2セラミック層と、これら第1及び第2セラミック層の間に形成された導体配線と、上記第1及び第2セラミック層の間のうち該導体配線の無い部分であって、平面視したときに、上記封止用メタライズ層と重複する重複部分の少なくとも一部に配置された絶縁スペーサと、を有することを特徴とする配線基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/48

FI (3件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/48 ,  H01L 23/12 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• セラミック多層基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-324495   出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス
• 特開昭51-028663
  
• 特開昭60-005597