特許

J-GLOBAL ID：200903094890483887

不揮発性半導体記憶装置およびその書き換え禁止制御方法

発明者： 近藤 隆生
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (4件)： 宮崎 昭夫 ,  金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-195768
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039127
出願日： 2002年07月04日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】悪意のある第三者による書き換えを有効に禁止する。【解決手段】書き込み禁止制御信号生成回路11は、メモリブロック501〜503のセキュリティフラグ格納領域にそれぞれ格納された同一内容の3つの書き込み禁止フラグを読み出し、多数決判定を行うことにより禁止/許可状態の判定を行って書き込み禁止制御信号20の論理を決定する。あるメモリブロックの消去中に電源瞬断等が発生して1つのメモリブロックのセキュリティフラグが書き換わった場合でも、残り2つのメモリブロックに格納されているセキュリティフラグは元の値を維持しているため、意図しない禁止設定が有効になる不具合の発生を防ぐことができる。また、セキュリティフラグの値に応じてハードウェアにより禁止/許可状態の設定を直接行っているので、悪意のある第三者がフラッシュライタを用いてプログラムの書き換えを行うことを防ぐことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

記憶領域が複数のメモリブロックにより構成され、各メモブロック毎にデータの消去が行われる不揮発性半導体記憶装置において、 前記複数のメモリブロックのうちの少なくとも3つ以上のメモリブロック内に、書き換え禁止状態を示す同一内容のセキュリティフラグが格納され、 格納されている3つ以上のセキュリティフラグの値の多数決判定を行うことにより書き換え禁止/許可状態の判定を行い、該判定結果に基づいて禁止制御信号の論理を決定する書き換え制御回路を備え、 前記記憶領域への再書き込みの禁止/許可の制御が、前記禁止制御信号の論理に基づいて行われることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (1件)：

G11C16/02

FI (1件)：

G11C17/00 601P

Fターム (5件)：

5B025AA01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD14 ,  5B025AE08 ,  5B025AF01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平3-057048
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-281147   出願人：シャープ株式会社