特許

J-GLOBAL ID：200903094898556638

窒化タングステン膜の形成方法

発明者： 中村 吉孝 ,  小林 伸好 ,  五嶋 秀和 ,  入江 亮太郎 ,  竹村 佳昭 ,  丸泉 琢也 ,  渡辺 一典 ,  臼井 建人 ,  三瀬 信行 ,  池川 正人 ,  牛尾 二郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323696
公開番号（公開出願番号）：特開平7-180058
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月18日
要約：

【要約】【構成】 WF6と、ヒドラジン(N2H4)、モノメチルヒドラジン((CH3)HN2H2)、uns-ジメチルヒドラジン((CH3)2N2H2)、sym-ジメチルヒドラジン((CH3)HN2(CH3)H)、トリメチルヒドラジン((CH3)2N2(CH3)H)、テトラメチルヒドラジン((CH3)2N2(CH3)2)、エチルヒドラジン((C2H5)HN2H2)のうち少なくとも1つと、WF6とを用いて、熱CVD法により基板や金属膜上にWN膜を形成する。【効果】 下地である基板や金属膜に損傷をほとんど与えずに、WN膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

六フッ化タングステンと、窒素化合物とを用いて基体上に熱CVD法により窒化タングステン膜を形成する方法において、前記窒素化合物はヒドラジン、モノメチルヒドラジン、uns-ジメチルヒドラジン、sym-ジメチルヒドラジン、トリメチルヒドラジン、テトラメチルヒドラジン、エチルヒドラジンの少なくとも一つを含むことを特徴とする窒化タングステン膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205