特許
J-GLOBAL ID：200903094911298244
固体撮像素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 正昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-034575
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234467
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 タングステン層を遮光膜に用いた場合の開口毎のエッチングのバラツキを低減して固定パターン・ノイズを抑制する。【解決手段】 電極を覆う遮光膜には遮光性に優れたタングステン層を用いる。また、フォトダイオード上の部位には、SF6からなる等方性エッチング・ガスとCl2からなる異方性エッチング・ガスを含む混合ガスを用いたドライ・エッチングを行なうことにより、下端の最小幅が1μm以下で、タングステン・グレインに沿わない、垂直形状の開口を形成する。開口毎の微小なエッチング・バラツキが低減され、固定パターン・ノイズの問題を解消する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の光電変換素子を配置し該光電変換素子間に電極を敷設するとともに該電極を遮光膜で覆って遮光した固体撮像素子の製造方法であって、複数の光電変換素子及び光電変換素子間を走る電極が形成された半導体基板上にタングステン層からなる遮光膜を形成するステップと、前記遮光膜の前記光電変換素子の受光領域に相当する部位が窓開けされたマスク・パターンを形成するステップと、等方性エッチング・ガスと異方性エッチング・ガスを含む混合ガスを用いたドライ・エッチングによって、前記遮光膜に前記受光領域のための開口を穿設するステップと、を具備することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H04N 5/335 U
, H01L 27/14 B
4M118AB01
, 4M118BA13
, 4M118CA03
, 4M118CA32
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118EA20
, 4M118GB03
, 4M118GB06
, 4M118GB11
, 4M118GB19
, 5C024CX04
, 5C024CY47
