特許
J-GLOBAL ID：200903094942178158
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-296413
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153710
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】ドライエッチング時に被エッチング材に付着するポリマ等を容易に除去する方法を提供する。【構成】被エッチング材をレジストパタ-ンをマスクに用いてプラズマエッチングし、上記レジストパタ-ンをO2プラズマアッシングにより除去し、基板表面を純水リンスする。その後、基板を40°C以上に加熱した状態で、基板表面をHF蒸気に晒し、続いて、基板表面を純水リンスする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた第1の被膜上にレジストパタ-ンを形成する工程と、上記レジストパタ-ンをマスクに用いて上記第1の被膜を選択的にドライエッチングする工程と、上記レジストパタ-ンをアッシングにより除去する工程と、上記半導体基板を40°C以上に加熱すると共に上記第1の被膜の表面をHF蒸気に晒す工程と、上記第1の被膜上に第2の被膜を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
H01L 21/302 H
, H01L 21/30 572 A
, H01L 21/302 N
