特許

J-GLOBAL ID：200903094947822209

チタン層を堆積するための、高温、高堆積率の方法及び装置

発明者： ジュン ザオ ,  リー ロー ,  シャオ リャン ジン ,  ジア-シャン ウォン ,  ステファン ウルフ ,  タレックス サジョト
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-049957
公開番号（公開出願番号）：特開平10-298768
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】【課題】四塩化チタンソースから半導体基板上に最大200オングストローム/分の速度でチタン膜を堆積させるための装置を提供する。【解決手段】約1〜10torrのチャンバ圧力で少なくとも約400°Cまで加熱されたヒータを使用し、反応性ガスとソースガスとを反応性ガス:ソースガス流量比、約250:1以下で導入し、RFエネルギーを印加してプラズマを形成することによって、チタンフィルムを堆積する。

請求項（抜粋）：

チャンバ内のヒータ上の基板に層を堆積するための方法であって、前記ヒータを前記チャンバ内で少なくとも約400°Cの温度まで加熱するステップと、前記チャンバを約1〜10torrの圧力に維持するステップと、反応性ガス及びソースガスを前記チャンバに導入するステップであって、前記ソースガスはハロゲン含有ガスを含み、前記反応性ガス:前記ソースガスの流量比が約250:1以下である、前記反応性ガス及び前記ソースガスを前記チャンバに導入するステップと、前記基板に隣接してプラズマを形成するためにエネルギを印加するステップと、を含む方法。

IPC (6件)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/54 B ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマCVD方法、およびこれにより形成された金属膜を有する半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-011272   出願人：ソニー株式会社