特許

J-GLOBAL ID：200903094952454552

電気光学装置、液晶装置ならびに投射型表示装置

発明者： 片山 茂憲
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-303220
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243669
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 SOI構造のMISトランジスタにおいて、寄生バイポーラ現象などの基板浮遊効果を確実に抑制することができ、電気的特性に優れた電気光学装置を提供する。【解決手段】 本発明の電気光学装置(液晶ライトバルブ)は、第1の熱膨張係数を持つ石英基板(基板本体10A)と、石英基板上に形成された絶縁体層(下地絶縁膜12)と、絶縁体層上に形成された第2の熱膨張係数を持つ単結晶シリコン層(半導体層1a)とを有する複合基板を一方の基板としたものである。そして、絶縁体層上に単結晶シリコン層をチャネル領域1a'としたTFT30が形成され、チャネル領域1a'をなす単結晶シリコン層内に少なくとも一つの線欠陥Dが存在している。

請求項（抜粋）：

第1の熱膨張係数を持つ支持基板と、該支持基板上に形成された絶縁体層と、該絶縁体層上に形成された前記第1の熱膨張係数と異なる第2の熱膨張係数を持つ単結晶半導体層とを有する複合基板を備えた電気光学装置であって、前記絶縁体層上に前記単結晶半導体層をチャネル領域とした薄膜トランジスタが形成され、前記チャネル領域をなす前記単結晶半導体層内に少なくとも一つの線欠陥が存在していることを特徴とする電気光学装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/12

FI (8件)：

G02F 1/13 505 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 626 B ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 619 B

Fターム (69件)：

2H088EA14 ,  2H088EA15 ,  2H088EA18 ,  2H088HA13 ,  2H088HA24 ,  2H088HA28 ,  2H088MA01 ,  2H088MA02 ,  2H088MA20 ,  2H090JA09 ,  2H090JB02 ,  2H090JB04 ,  2H090JD18 ,  2H090LA04 ,  2H090LA05 ,  2H090LA12 ,  2H090LA15 ,  2H090LA16 ,  2H092JA23 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB51 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA26 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA01 ,  2H092NA29 ,  5F110AA04 ,  5F110AA15 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD08 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG57 ,  5F110GG60 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN42 ,  5F110NN43 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN48 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

• SOI構造の半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-057175   出願人：日本電気株式会社