特許

J-GLOBAL ID：200903094966642971

真空蒸着膜の形成方法

発明者： 滝川 浩史 ,  久保 智範 ,  三輪 俊夫
出願人/特許権者： 伊藤光学工業株式会社
代理人 (1件)： 飯田 昭夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-390369
公開番号（公開出願番号）：特開2003-193221
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【目的】 電子ビーム蒸着法において、合成樹脂基板上に従来に比して、密着性の良好な真空蒸着膜を形成することができる方法を提供すること。【構成】 真空チャンバー12内で蒸発源に電子ビームを投入(入射)させて、合成樹脂基板28の上に真空蒸着膜を形成する方法。ハース14の上方近傍に正のバイアス電圧を印加した電子捕獲箱30を配して、電子ビームの反射電子の合成樹脂基板に対する到達量を低減させる。

請求項（抜粋）：

真空チャンバー内で蒸発源に電子ビームを投入(入射)させて、合成樹脂基板上に真空蒸着膜を形成する方法において、前記電子ビームの反射電子の前記合成樹脂基板に対する到達量を低減させるようにしたことを特徴とする真空蒸着膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/20 ,  G02B 1/11

FI (3件)：

C23C 14/24 P ,  C23C 14/20 A ,  G02B 1/10 A

Fターム (15件)：

2K009BB11 ,  2K009CC03 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA01 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029BA35 ,  4K029BA43 ,  4K029BD09 ,  4K029CA01 ,  4K029DB21