特許
J-GLOBAL ID：200903095005115686

半導体素子の検査装置および半導体素子の検査方法、並びに記録媒体

発明者：
高橋 靖知

高橋 靖知 について


出願人/特許権者：
山形日本電気株式会社

山形日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-159377
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349129
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 高周波測定の精度を向上させ、測定基板の摩耗を抑制する。【解決手段】 ガラスエポキシ樹脂基板4の両面に、スルーホール5で電気的に接続された、センス部とフォース部の2つの部分に物理的に分離された銅パターン3が形成され、一方の面に形成された銅パターン3には、センス部にセンスが、接続され、フォース部にフォースが接続され、他方の面に形成された銅パターン3は、導電性を有する導電シート11を介してICリード2に接触し、高周波測定が行われる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の高周波測定をケルビン法により行う半導体素子の検査装置であって、センスを接続するための第1のパターンと、前記第1のパターンとは物理的に分離された、フォースを接続するための第2のパターンと、前記第1のパターンおよび前記第2のパターン上に設けられた導電性を有する弾性体とを備え、前記第1のパターンおよび第2のパターンを、導電性を有する弾性体を介して前記半導体素子のリードに接触させ、前記半導体素子の高周波測定が行われることを特徴とする半導体素子の検査装置。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  G01R 31/26
FI (2件)：
H01L 21/66 D ,  G01R 31/26 J
Fターム (10件)：
2G003AA07 ,  2G003AE03 ,  2G003AG07 ,  2G003AG08 ,  2G003AH00 ,  2G003AH05 ,  4M106AA04 ,  4M106BA14 ,  4M106CA70 ,  4M106DJ34
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-215956
  • 高周波IC測定治具
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-055018   出願人：株式会社東芝
  • IC試験装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-030280   出願人：株式会社アドバンテスト

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