多結晶シリコン製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：生形元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296815
公開番号（公開出願番号）：特開2003-095635
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】気相成長法によりクロロシラン類と水素の混合ガスから多結晶シリコンを製造する反応炉で発生する排ガスから水素ガスを回収する。その排ガス処理に伴うポリマー及びシリコン微粉の付着による配管閉塞や機器損傷等を防止する。【解決手段】反応炉1で発生する排ガスを第1冷却系3、加圧器3、第2冷却系4及び微量塩化物除去系5へ順番に通して水素ガスを回収し、反応炉1へ供給する。排ガス精製系統を構成する少なくとも1つの機器の上流側に活性炭フィルタを設置して、排ガスからポリマー及びシリコン微粉を除去する。

請求項（抜粋）：

気相成長法によりクロロシラン類と水素の混合ガスから多結晶シリコンを製造する反応炉と、反応炉で発生する排ガスから水素ガスを抽出して反応炉へ再導入する循環式の精製系統とを備えた多結晶シリコン製造装置において、前記精製系統を構成する少なくとも1つの機器の上流側に、ガス滞留時間が1秒以下である活性炭フィルタを設置したことを特徴とする多結晶シリコン製造装置。

IPC (3件)：

C01B 33/035 , C01B 33/02 , H01L 21/205

FI (3件)：

C01B 33/035 , C01B 33/02 E , H01L 21/205

Fターム (18件)：

4G072AA01 , 4G072BB12 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH07 , 4G072HH09 , 4G072JJ01 , 4G072MM01 , 4G072RR11 , 4G072UU01 , 5F045AA01 , 5F045AB03 , 5F045AC03 , 5F045BB08 , 5F045BB15 , 5F045BB20 , 5F045EG08 , 5F045EG09

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-226712
特開昭55-027890
特開昭63-144110

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