特許
J-GLOBAL ID:200903095009497559

微細加工方法及びこの加工方法に用いる微細加工用フォトマスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 草野 卓 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-015894
公開番号(公開出願番号):特開平8-213302
出願日: 1995年02月02日
公開日(公表日): 1996年08月20日
要約:
【要約】【目的】 工程の進行に伴なって露光用マスクと被加工体との間の位置合せ精度が低下しない微細加工方法を提案する。【構成】 当初の工程において、爾後の工程で使用するマスクの数に足りる数の位置合せ用マークMOK11 〜MOK13 を被加工体1に形成し、マスクを使う工程毎に順次異なる位置合せ用マークを用いる。
請求項(抜粋):
フォトレジスト層が被着形成された被加工体の面と対向して所定のパターンが描かれたフォトマスクを配置し露光・現像処理することにより所定のパターンにフォトレジスト層を残し、残されたフォトレジスト層をマスクにしてエッチングを施し、被加工体の層を所定のパターンに形成する微細加工方法において、初期に使用するフォトマスクに爾後の工程で使用するフォトマスクの枚数に足りる数の位置合せ用マークを被加工体に形成するためのマークパターンを形成し、このマークパターンによって使用するフォトマスクの枚数に対応した数のマークを被加工体に形成することを特徴とする微細加工方法。
IPC (4件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/43
FI (6件):
H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/46 T ,  H01L 29/46 G
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭62-144168
  • 特開昭63-262835
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-263597   出願人:株式会社明電舎
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