特許
J-GLOBAL ID：200903095043090450
GaN系化合物半導体結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078246
公開番号（公開出願番号）：特開2002-274997
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：
【要約】【課題】 GaN系化合物半導体結晶と比較的よく格子整合する希土類13(3B)族ペロブスカイト基板を用いることにより、結晶欠陥が少ないGaN系化合物半導体単結晶を歩留まりよく製造可能な方法を提供する。【解決手段】 1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶を基板としてGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶基板の(011)面から1°から4°だけオフアングルさせた面を成長面とするようにした。
請求項（抜粋）：
1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶を基板としてGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶基板の(011)面から1°から4°だけオフアングルさせた面を成長面とすることを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の製造方法。
Fターム (7件)：
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077TK01
, 4G077TK06
