特許
J-GLOBAL ID：200903095054738362

不揮発性半導体メモリ装置

発明者：
後藤 寛

後藤 寛 について

, 
浅川 俊文

浅川 俊文 について


出願人/特許権者：
日本鋼管株式会社

日本鋼管株式会社 について


代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-174922
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064286
出願日： 1994年05月11日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 簡単な消去動作によって消去できる不揮発性半導体メモリ装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】 浮遊ゲート3と制御ゲート2とを有するトランジスタ1を備える不揮発性メモリセルにおいて、トランジスタ1のドレイン電極またはソース電極の一方に電気的に接続する容量素子9と、容量素子9を充電し、ドレイン電極またはソース電極の一方を他方と異なる電位に設定する電位設定手段と、容量素子9が放電するまで、トランジスタ1の値電圧を変動させる電圧を制御ゲート2に印加する電圧発生手段とを備える不揮発性半導体メモリ装置である。
請求項（抜粋）：
不揮発性半導体メモリ装置であって、複数本のワード線、前記ワードと交差する複数本のビット線にして、選択トランジスタを介してソース線に接続されたビット線、前記ワード線と前記ビット線の交差位置に配置し、各々ソース、ドレイン、浮遊ゲートおよび制御ゲートを有し、その制御ゲート、ドレインおよびソースが各ワード線、ビット線、ソース線にそれぞれ接続されている、複数個のメモリセル、選択されたメモリセルのソースまたはドレインに電荷を与え、浮遊状態に設定する手段、前記選択メモリセルの制御ゲートに正波高値電位と負波高値電位の間で変動するパルス信号を印加し、その閾値が収束するようにする手段を備えたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 16/04 ,  G11C 16/06
FI (2件)：
G11C 17/00 621 C ,  G11C 17/00 634 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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