特許

J-GLOBAL ID：200903095060491840

単結晶引き上げ装置

発明者： 安部 啓成 ,  斉藤 丈生 ,  工藤 智司 ,  熱海 貴 ,  小野 直樹 ,  降屋 久
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184347
公開番号（公開出願番号）：特開2001-019592
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】【課題】 融液対流による温度振動を防止して単結晶化率を向上させることができる単結晶引き上げ装置を提供する。【解決手段】 石英ルツボ3の周囲に電磁石8,9が配置され、この電磁石8,9によって石英ルツボ3をカスプ磁場下で回転させつつ単結晶13を引き上げる単結晶引き上げ装置において、単結晶13の引き上げ位置が、電磁石8,9の平面から見た磁場中心Gからずれた位置に配置されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ルツボの周囲に電磁石が配置され、この電磁石によってルツボをカスプ磁場下で回転させつつ単結晶を引き上げる単結晶引き上げ装置において、単結晶の引き上げ位置が、電磁石の平面から見た磁場中心からずれた位置に配置されていることを特徴とする単結晶引き上げ装置。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/22 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 G ,  C30B 15/22 ,  H01L 21/208 P

Fターム (19件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EJ02 ,  4G077PF42 ,  4G077RA03 ,  5F053AA12 ,  5F053AA13 ,  5F053AA14 ,  5F053BB04 ,  5F053BB08 ,  5F053BB13 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053KK10 ,  5F053RR01 ,  5F053RR03 ,  5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-031387
  
• 単結晶製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-096784   出願人：株式会社スーパーシリコン研究所
• 特開平4-031387