特許

J-GLOBAL ID：200903095063122870

半導体薄膜およびその製造方法ならびにこれを用いた太陽電池

発明者： 橋本 泰宏 ,  根上 卓之 ,  林 茂生 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074777
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340489
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素およびII族元素を含むn型化合物半導体層を少なくとも含む半導体薄膜、およびその製造方法ならびにこれを用いた太陽電池を提供する。【解決手段】 基板71と、基板71上に順次積層された裏面電極72、p型化合物半導体層13、n型化合物半導体層12、n型半導体層14、窓層76および透明導電膜77と、p側電極78と、n側電極79とを含む。n型化合物半導体層12は、Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素およびII族元素を含み、キャリア密度が高いn型である。

請求項（抜粋）：

Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素およびII族元素を含むn型化合物半導体層を少なくとも含む半導体薄膜。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/26

FI (3件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/26

引用特許：

審査官引用 (1件)

• カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法、薄膜太陽電池及び発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198598   出願人：松下電器産業株式会社