特許
J-GLOBAL ID：200903095090730670

半導体装置

発明者：
中島高士

中島高士 について


出願人/特許権者：
株式会社三井ハイテック

株式会社三井ハイテック について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114319
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307048
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置パッケージを小さくできるとともに、プリント基板等への実装が各リ-ドとも接続不良なく且つ半田フィレットが過不足なく形成される半導体装置を得る。【解決手段】 半導体チップ搭載部1に半導体チップ4が搭載され、該半導体チップ4の端子と前記半導体チップ搭載部1の周りに形成したリ-ド2が電気的に接続され、前記半導体チップ搭載部1、半導体チップ4、リード2の一部を樹脂封止しパッケージ5とした半導体装置において、前記リ-ド2の他部はパッケージ5の側面下端からパッケージ外に出ているとともに折り曲げられパッケージ底面に当接して外部接続部を形成している。
請求項（抜粋）：
半導体チップ搭載部に半導体チップが搭載され、該半導体チップの端子と前記半導体チップ搭載部の周りに形成したリ-ドが電気的に接続され、前記半導体チップ搭載部、半導体チップ、前記リードの一部を樹脂封止しパッケージとした半導体装置において、前記リ-ドの他部はパッケージの側面下端からパッケージ外に出ているとともに折り曲げられパッケージ底面に当接して外部接続部を形成していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/50 ,  H01L 23/28
FI (2件)：
H01L 23/50 N ,  H01L 23/28 A
Fターム (13件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  4M109DB02 ,  4M109FA01 ,  5F067AA01 ,  5F067AA03 ,  5F067AB04 ,  5F067BC12 ,  5F067CA02 ,  5F067DE01 ,  5F067DF01
引用特許：
審査官引用 (2件)

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