特許

J-GLOBAL ID：200903095092651807

洗浄装置及び洗浄方法

発明者： 小林 安正
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102036
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294534
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 洗浄用薬液の寿命を長くすることにより洗浄コストを低減させた洗浄装置及び洗浄方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る洗浄装置は、60°Cに温度調節されたアンモニア過水液を用いて半導体ウエハを洗浄する洗浄装置であって、アンモニア過水液が入れられたアンモニア過水槽9と、アンモニア過水液を設定温度に温度調節する温調手段と、前記温調手段により60°Cに温度調節された洗浄液を用いて第1のロットを洗浄した後、洗浄処理の行われない状態が所定時間経過した時に、前記温調手段の設定温度を60°Cより低い温度(45°C)に変更し、その後、第2のロットを洗浄する時に前記温調手段の設定温度を60°Cに変更するように制御する制御部10と、を具備するものである。

請求項（抜粋）：

所定温度に温度調節された洗浄液を用いて第1の被処理体を洗浄する第1の洗浄工程と、前記第1の洗浄工程の終了後、洗浄処理の行われない状態が所定時間経過した時に、前記温度調節の設定温度を前記所定温度より低い温度に変更する工程と、第2の被処理体を洗浄する時に、前記洗浄液の温度調節の設定温度を前記所定温度に変更し、この洗浄液を前記所定温度まで昇温する工程と、この洗浄液を用いて第2の被処理体を洗浄する第2の洗浄工程と、を具備することを特徴とする洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 647

FI (4件)：

H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/304 648 B ,  H01L 21/304 642 B ,  H01L 21/304 647 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-350950   出願人：ソニー株式会社
• 洗浄処理装置の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-214120   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社