特許
J-GLOBAL ID:200903095093737861

磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 服部 毅巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-112877
公開番号(公開出願番号):特開2003-309196
出願日: 2002年04月16日
公開日(公表日): 2003年10月31日
要約:
【要約】【課題】 MRAM素子の記録保持信頼性を向上させる。【解決手段】 MRAM素子11が軟磁性の磁気シールド部材14に囲まれて密閉された磁気シールドパッケージ10は、低周波磁界内では、磁気シールド部材14に到達した磁束が、その透磁率の実部μ’項の寄与により、磁気シールド部材14の内部を好んで進行し、磁束の進路が変えられる。また、高周波磁界内では、透磁率の虚部μ”項の寄与により、磁束が磁気シールド部材14の内部で吸収される。さらに、MRAM素子11は、磁気シールド部材14により周囲を囲まれ、様々な方向からの磁束に対して保護される。したがって、MRAM素子11に対する外部磁界の影響が抑制され、MRAM素子11の記録保持信頼性が向上するようになる。
請求項(抜粋):
磁気不揮発性メモリ素子に対する外部磁界の影響を抑制する磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージにおいて、磁気不揮発性メモリ素子が、軟磁性材料を用いて形成された磁気シールド部材に囲まれて密閉状態で配置されていることを特徴とする磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージ。
IPC (4件):
H01L 23/00 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/02
FI (4件):
H01L 23/00 C ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/02 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (3件):
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083ZA23
引用特許:
審査官引用 (3件)

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