特許

J-GLOBAL ID：200903095109332212

半導体熱処理用治具及びその表面処理方法

発明者： 小林 徳弘 ,  儘田 一夫 ,  松本 雄一 ,  岡 哲史 ,  片山 正健
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-308243
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148552
出願日： 1994年11月17日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 シリコン単結晶ウエーハとの固着を防止し、治具からの不純物の外方拡散を十分且つ簡易に抑制し、且つ水素アニール時におけるピット状欠陥の発生も防止することができる半導体熱処理用治具及びその表面処理方法を提供する。【構成】 ケイ素又は炭化ケイ素からなる半導体熱処理用治具12の最表面に、窒素雰囲気下でシリコン窒化膜12bを熱成長させる。シリコン窒化膜12bは、窒素雰囲気中1100°C〜1300°Cの温度範囲で熱成長させる。シリコン窒化膜12bを形成する前に、治具表面を例えば水素エッチングにより僅かに除去するのが望ましい。また、エッチングを行った後に治具表面に酸素雰囲気中でシリコン酸化膜を熱成長させ、その後にシリコン窒化膜12bを熱成長させてもよい。

請求項（抜粋）：

ケイ素又は炭化ケイ素からなる半導体熱処理用治具の最表面に、窒素雰囲気下でシリコン窒化膜を熱成長させることを特徴とする半導体熱処理用治具。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置用治具及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-044517   出願人：富士通株式会社
• 特開昭59-191327
  
• 特開昭63-123887