特許
J-GLOBAL ID：200903095128169934
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-250409
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092491
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】本発明は、プラズマ処理容器内の異常放電の発生を検出し、異常放電の発生頻度を抑制し、異常放電による突発的なダスト発生、被処理基体表面の損傷、基体の汚染、基体の電気素子の絶縁破壊等の発生を低減することが可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は高周波電力を発生する手段と、プラズマ処理容器にガスを導入する手段と、プラズマ処理容器に高周波電力を導入する電極と、電極から反射する高周波電力を検出する手段と、高周波電力を発生する手段のインピーダンスと、プラズマのインピーダンスとが整合された状態における電極から反射する高周波電力の振幅の変動にのみ応じて電極に印加する高周波電力を制御する手段とを備える。
請求項（抜粋）：
高周波電力を発生する手段と、プラズマ処理容器と、プラズマ処理容器にガスを導入する手段と、プラズマ処理容器に高周波電力を導入する電極と、この電極から反射する高周波電力を検出する手段と、前記電極に印加する高周波電力のインピーダンスとプラズマのインピーダンスとが整合された状態における電極から反射する高周波電力の振幅の変動にのみ応じて電極に印加する高周波電力を制御する手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H05H 1/46
, C23C 16/56
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H05H 1/46 B
, C23C 16/56
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 D
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
