特許
J-GLOBAL ID:200903095129785540

多層配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-181925
公開番号(公開出願番号):特開平10-027959
出願日: 1996年07月11日
公開日(公表日): 1998年01月27日
要約:
【要約】【課題】多層基板の導体回路によって生じる凹凸の発生をなくし、積層時に生じていた空隙による回路の断線や変形による配線基板としての精度の劣化を防止する。【解決手段】表面に金属から成る導体回路2が形成された転写シート1と、少なくとも有機樹脂を含む半硬化状態の絶縁層3とを準備し、次に前記転写シート1に形成された導体回路2と半硬化状態の絶縁層3とを圧接して導体回路2を絶縁層3に転写埋入させ、しかる後、前記導体回路2が転写埋入された絶縁層3から転写シート1を除去し絶縁層3の表面に導体回路2が埋入された回路基板4を得、最後に前記回路基板4を複数枚積層して一体化する。
請求項(抜粋):
表面に金属から成る導体回路が形成された転写シートと、少なくとも有機樹脂を含む半硬化状態の絶縁層とを準備する工程と、前記転写シートに形成された導体回路と半硬化状態の絶縁層とを圧接して導体回路を絶縁層に転写埋入させる工程と、前記導体回路が転写埋入された絶縁層から転写シートを除去し絶縁層の表面に導体回路が埋入された回路基板を得る工程と、前記回路基板を複数枚積層して一体化する工程とを具備することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H05K 3/20
FI (3件):
H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 T ,  H05K 3/20 A
引用特許:
審査官引用 (4件)
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