特許
J-GLOBAL ID：200903095163296396
SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-084510
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261615
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 SiC半導体を使用した素子の特性を向上させるために、SiC半導体基板およびその上に成長した膜の表面モホロジーを制御する。【解決手段】 H2 ガスで0.1%以上かつ5%以下(体積比)に希釈したHClガス雰囲気中1300°C以上かつ1500°C以下の温度で、SiC半導体基板またはSiC半導体基板上にホモエピタキシャル成長したSiC半導体薄膜を熱気相エッチングする。
請求項（抜粋）：
SiC半導体の表面モホロジーを制御する方法であって、H2 ガスで0.1%以上かつ5%以下(体積比)に希釈したHClガス雰囲気中1300°C以上かつ1500°C以下の温度で、SiC半導体基板またはSiC半導体基板上にホモエピタキシャル成長したSiC半導体薄膜を熱気相エッチングすることを特徴とするSiC半導体の表面モホロジー制御方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306
, C30B 25/02
, C30B 29/36
, C30B 33/12
, H01L 21/205
H01L 21/302 P
, C30B 25/02 Z
, C30B 29/36 A
, C30B 33/12
, H01L 21/205
