特許
J-GLOBAL ID：200903095189845983
マグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-338503
公開番号（公開出願番号）：特開2002-146529
出願日： 2000年11月07日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：
【要約】【課題】 成膜速度が大きく、また、特性に優れた薄膜を形成することのできるマグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 マグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法を、磁極11にバルク超伝導体を着磁して得られる超伝導磁極を用い、2つの磁極11を離間対向して配置し、その磁極間に、それぞれの磁極11の有する磁力の相互作用による強い磁場を作り出し、この磁場中に薄膜原料を含むターゲット20を存置させてスパッタリングを行うように構成する。強くかつ広い分布を有する磁場を形成することが容易で、その磁場の中にターゲットを置くことで、スパッタリングに適したプラズマをターゲットの表面に効果的に集中させることがでる。その結果、成膜速度が大きく、また、特性に優れた薄膜を形成することができる。
請求項（抜粋）：
薄膜原料を含んでなるターゲットを磁場中に配置し、その磁場の作用でターゲット表面にプラズマを集中させてスパッタリングを行い、放出される薄膜原料を基材表面に被着させて薄膜を形成するマグネトロンスパッタリング装置であって、ターゲットを挟んでそれぞれ配設され対向する2つの磁極を有し、その磁極の少なくとも1つはバルク超伝導体を着磁して得られる超伝導磁極であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/35 ZAA
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
C23C 14/35 ZAA E
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00 ZAA
4G047JA03
, 4G047JB03
, 4G047JC02
, 4G047KE05
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029CA05
, 4K029DC32
, 4K029DC40
, 4K029DC42
, 4K029DC43
, 4K029DC46
