特許

J-GLOBAL ID：200903095191846830

窒化シリコン膜の除去方法

発明者： 上田 靖彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124259
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319574
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置におけるコンタクトホールなどの底面に形成された窒化シリコン膜を選択的に除去する。その際、コンタクトホールなどの側壁に形成されている窒化シリコン膜は除去されないようにする。【解決手段】 炭素原子-炭素原子結合を含む第1のフッ素化合物(例えば、オクタフルオロシクロブタン(C4F8)、ヘキサフルオロブタジエン(C4F6)オクタフルオロシクロペンテン(C5F8)など)と、水素原子と単一の炭素原子とを含む第2のフッ素化合物(例えば、フルオロメタン(CH3F)、ジフルオロメタン(CH2F2)、トリフルオロメタン(CHF3)など)とを含むプロセスガスを供給し、このプロセスガスを用いたプラズマエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

物質表面に形成された窒化シリコン膜を除去する方法であって、炭素原子-炭素原子結合を含む第1のフッ素化合物と、水素原子と単一の炭素原子とを含む第2のフッ素化合物とを含むプロセスガスを供給し、前記プロセスガスを用いたドライエッチングを行うことにより前記窒化シリコン膜を除去する、窒化シリコン膜の除去方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 C

Fターム (30件)：

4M104BB28 ,  4M104DD04 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD17 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB07 ,  5F004EB01 ,  5F033NN40 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033XX31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-125481   出願人：三菱電機株式会社
• プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-303802   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特公平6-012765