特許
J-GLOBAL ID：200903095195162154

半導体装置

発明者：
中村 俊二

中村 俊二 について

, 
粟野 祐二

粟野 祐二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-327305
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165297
出願日： 2002年11月11日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】カーボン・ナノチューブを有し量産に適した半導体装置を提供すること。を目的とする。【解決手段】本発明による半導体装置は、半導体基板に設けられた第1電極層と、前記第1電極層に対向する位置に設けられた第2電極層と、前記第1および第2電極層の間に絶縁層を介して設けられた第3電極層と、前記第3電極層および前記絶縁層を貫通し、前記第1および第2電極層に結合されるカーボン・ナノチューブより成る半導体部材を有する。前記第3電極層に制御電圧を印加することによって、前記第1および第2電極層間のチャネルが制御される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板に設けられた第1電極層と、 前記第1電極層に対向する位置に設けられた第2電極層と、 前記第1および第2電極層の間に絶縁層を介して設けられた第3電極層と、 前記第3電極層および前記絶縁層を貫通し、前記第1および第2電極層に結合されるカーボン・ナノチューブより成る半導体部材 を有し、前記第3電極層に制御電圧を印加することによって、前記第1および第2電極層間のチャネルが制御されることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78
FI (7件)：
H01L29/78 626A ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653D ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/08 102E
Fターム (48件)：
5F045AB02 ,  5F045AF14 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045HA05 ,  5F045HA06 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BC03 ,  5F048BC11 ,  5F048BC15 ,  5F048BD07 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048CB07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC09 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG41 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (1件)

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